SJD112T4G
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| Numero parte | SJD112T4G |
| PNEDA Part # | SJD112T4G |
| Descrizione | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.600 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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SJD112T4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SJD112T4G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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SJD112T4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Potenza - Max | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 31V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 500mA, 3V Potenza - Max 2W Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore MPT3 |
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