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SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIZ346DT-T1-GE3
PNEDA Part # SIZ346DT-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIZ346DT-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIZ346DT-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SIZ346DT-T1-GE3, SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 380,34 KB)
PDFSIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Copertura
SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SIZ346DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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  • SIZ346DT-T1-GE3 Distributor

SIZ346DT-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SeriePowerPAIR®, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Potenza - Max16W, 16.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-Power33 (3x3)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 5V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

AO6808_101

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

DMP2160UFDB-7R

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DMN61D8LVTQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Potenza - Max

820mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

QS8J5TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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