SISS60DN-T1-GE3
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| Numero parte | SISS60DN-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SISS60DN-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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SISS60DN-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SISS60DN-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SISS60DN-T1-GE3, SISS60DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 253,7 KB)
  
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SISS60DN-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +16V, -12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3960pF @ 15V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8S |
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