SIS990DN-T1-GE3
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| Numero parte | SIS990DN-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIS990DN-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.992 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIS990DN-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIS990DN-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIS990DN-T1-GE3, SIS990DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 570,69 KB)
  
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SIS990DN-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 50V |
| Potenza - Max | 25W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 992pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
