SIHU4N80E-GE3
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Numero parte | SIHU4N80E-GE3 |
PNEDA Part # | SIHU4N80E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 27.900 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 16 - nov 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIHU4N80E-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SIHU4N80E-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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SIHU4N80E-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | E |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 622pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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