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SIHFL9014TR-GE3

SIHFL9014TR-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIHFL9014TR-GE3
PNEDA Part # SIHFL9014TR-GE3
Descrizione MOSFET P-CH 60V SOT-223
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIHFL9014TR-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIHFL9014TR-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SIHFL9014TR-GE3, SIHFL9014TR-GE3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 171,88 KB)
PDFIRFL9014PBF Datasheet Copertura
IRFL9014PBF Datasheet Pagina 2 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 3 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 4 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 5 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 6 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 7 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 8

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  • SIHFL9014TR-GE3 Distributor

SIHFL9014TR-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

STW24N60M6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRFR3411TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN1014UFDF-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

NVMFS5C442NLAFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Ta), 130A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Venduto di recente

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

XC6SLX9-2TQG144C

XC6SLX9-2TQG144C

Xilinx

IC FPGA 102 I/O 144TQFP

IHLP2525CZER2R2M01

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Vishay Dale

FIXED IND 2.2UH 8A 20 MOHM SMD

TSV912IDT

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STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

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RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

74HC4538D

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X34 PB-F 74HC CMOS LOGIC IC SERI

Z86E0812SSC1866

Z86E0812SSC1866

Zilog

IC MCU 8BIT 2KB OTP 18SOIC

AEDS-8011-A11

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Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

FOD4108V

FOD4108V

ON Semiconductor

OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

MD918A

MD918A

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6

XC3S200AN-4FTG256C

XC3S200AN-4FTG256C

Xilinx

IC FPGA 195 I/O 256FTBGA