SIHA690N60E-GE3
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| Numero parte | SIHA690N60E-GE3 |
| PNEDA Part # | SIHA690N60E-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH EF PWR TO-220 FP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.202 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIHA690N60E-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIHA690N60E-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIHA690N60E-GE3, SIHA690N60E-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 152,46 KB)
  
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SIHA690N60E-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | E |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 347pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-73 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 443pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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