SIE810DF-T1-E3
Solo per riferimento
| Numero parte | SIE810DF-T1-E3 |
| PNEDA Part # | SIE810DF-T1-E3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.832 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SIE810DF-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SIE810DF-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIE810DF-T1-E3, SIE810DF-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 191,83 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SIE810DF-T1-E3 Datasheet
- where to find SIE810DF-T1-E3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SIE810DF-T1-E3
- SIE810DF-T1-E3 PDF Datasheet
- SIE810DF-T1-E3 Stock
- SIE810DF-T1-E3 Pinout
- Datasheet SIE810DF-T1-E3
- SIE810DF-T1-E3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SIE810DF-T1-E3 Price
- SIE810DF-T1-E3 Distributor
SIE810DF-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (L) |
| Pacchetto / Custodia | 10-PolarPAK® (L) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore U-DL Pacchetto / Custodia TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 3.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7670pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOG-8-1 Pacchetto / Custodia 8-PowerSMD, Gull Wing |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 52V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 35V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.69W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
