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SIDC53D120H8X1SA1

SIDC53D120H8X1SA1

Solo per riferimento

Numero parte SIDC53D120H8X1SA1
PNEDA Part # SIDC53D120H8X1SA1
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIDC53D120H8X1SA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIDC53D120H8X1SA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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SIDC53D120H8X1SA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.97V @ 100A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr27µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreSawn on foil
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

SR303HA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

PMEG4002EJ,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

14pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-90, SOD-323F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323F

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

JANTX1N6621US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

440V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 440V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5A

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

RGP20G-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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