SICRB10650CTTR
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| Numero parte | SICRB10650CTTR |
| PNEDA Part # | SICRB10650CTTR |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S |
| Produttore | SMC Diode Solutions |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.814 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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SICRB10650CTTR Risorse
| Brand | SMC Diode Solutions |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SICRB10650CTTR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SICRB10650CTTR Specifiche
| Produttore | SMC Diode Solutions |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 85A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 9mA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 180°C |
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