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SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI9933BDY-T1-E3
PNEDA Part # SI9933BDY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI9933BDY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI9933BDY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI9933BDY-T1-E3, SI9933BDY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 97,34 KB)
PDFSI9933BDY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI9933BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI9933BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI9933BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI9933BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI9933BDY-T1-E3 Datasheet Pagina 6

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  • SI9933BDY-T1-E3 Distributor

SI9933BDY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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ON Semiconductor

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

62V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Potenza - Max

2.27W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FDMS3660S-F121

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

Produttore

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Serie

eGaN®

Tipo FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

9-BGA (1.35x1.35)

SI1553DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

660mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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