SI9910DY-T1-E3
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| Numero parte | SI9910DY-T1-E3 |
| PNEDA Part # | SI9910DY-T1-E3 |
| Descrizione | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.112 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI9910DY-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI9910DY-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
SI9910DY-T1-E3, SI9910DY-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 283,28 KB)
  
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SI9910DY-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | High-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10.8V ~ 16.5V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1A, 1A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 500V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 50ns, 35ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.5A, 1.5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 25ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
