SI8275GBD-IM1R
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| Numero parte | SI8275GBD-IM1R |
| PNEDA Part # | SI8275GBD-IM1R |
| Descrizione | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| Produttore | Silicon Labs |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.410 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI8275GBD-IM1R Risorse
| Brand | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI8275GBD-IM1R |
| Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Isolatori - Gate driver |
| Datasheet |
SI8275GBD-IM1R, SI8275GBD-IM1R Datasheet
(Totale pagine: 49, Dimensioni: 935,99 KB)
  
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SI8275GBD-IM1R Specifiche
| Produttore | Silicon Labs |
| Serie | * |
| Tecnologia | - |
| Numero di canali | - |
| Tensione - Isolamento | - |
| Immunità transitoria di modo comune (min) | - |
| Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) | - |
| Distorsione della larghezza dell'impulso (max) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Corrente - Uscita alta, bassa | - |
| Corrente - Uscita di picco | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | - |
| Corrente - DC diretta (If) (Max) | - |
| Tensione - Alimentazione in uscita | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Approvazioni | - |
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Produttore Silicon Labs Serie * Tecnologia - Numero di canali - Tensione - Isolamento - Immunità transitoria di modo comune (min) - Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) - Distorsione della larghezza dell'impulso (max) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Corrente - Uscita alta, bassa - Corrente - Uscita di picco - Tensione - Avanti (Vf) (Tip) - Corrente - DC diretta (If) (Max) - Tensione - Alimentazione in uscita - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Approvazioni - |
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