SI8261BBC-C-ISR
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Numero parte | SI8261BBC-C-ISR | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | SI8261BBC-C-ISR | ||||||||||||||||||
Descrizione | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC | ||||||||||||||||||
Produttore | Silicon Labs | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 10.057 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SI8261BBC-C-ISR Risorse
Brand | Silicon Labs |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI8261BBC-C-ISR |
Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Isolatori - Gate driver |
Datasheet |
SI8261BBC-C-ISR, SI8261BBC-C-ISR Datasheet
(Totale pagine: 40, Dimensioni: 1.658,51 KB)
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SI8261BBC-C-ISR Specifiche
Produttore | Silicon Labs |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Immunità transitoria di modo comune (min) | 35kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
Distorsione della larghezza dell'impulso (max) | 28ns |
Tempo di salita / discesa (tipico) | 5.5ns, 8.5ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 500mA, 1.2A |
Corrente - Uscita di picco | 4A |
Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | 2.8V (Max) |
Corrente - DC diretta (If) (Max) | 30mA |
Tensione - Alimentazione in uscita | 9.4V ~ 30V |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
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