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SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7634BDP-T1-E3
PNEDA Part # SI7634BDP-T1-E3
Descrizione MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.238
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7634BDP-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7634BDP-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SI7634BDP-T1-E3, SI7634BDP-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 307,42 KB)
PDFSI7634BDP-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI7634BDP-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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SI7634BDP-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3150pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-7-3

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPF09N03LA

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1642pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

P-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOI7N65

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.56Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

178W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251A

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SI5856DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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