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SI7530DP-T1-E3

SI7530DP-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7530DP-T1-E3
PNEDA Part # SI7530DP-T1-E3
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7530DP-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7530DP-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7530DP-T1-E3, SI7530DP-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 120,24 KB)
PDFSI7530DP-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7530DP-T1-E3 Datasheet Pagina 9

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SI7530DP-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W, 1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.1A, 12.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Sub-Base Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

APTC80TDU15PG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Potenza - Max

277W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

BSL205NH6327XTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-6

DMN2024UDH-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

647pF @ 10V

Potenza - Max

950mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

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