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SI7218DN-T1-E3

SI7218DN-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7218DN-T1-E3
PNEDA Part # SI7218DN-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.844
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7218DN-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7218DN-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7218DN-T1-E3, SI7218DN-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 571,59 KB)
PDFSI7218DN-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI7218DN-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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SI7218DN-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 15V
Potenza - Max23W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A, 5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1055pF @ 20V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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