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SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI7214DN-T1-GE3
PNEDA Part # SI7214DN-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.160
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7214DN-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7214DN-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7214DN-T1-GE3, SI7214DN-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 558,17 KB)
PDFSI7214DN-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI7214DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SI7214DN-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDS8926A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NVMFD5C680NLWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

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