SI4630DY-T1-E3
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| Numero parte | SI4630DY-T1-E3 |
| PNEDA Part # | SI4630DY-T1-E3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 85.398 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI4630DY-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI4630DY-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI4630DY-T1-E3, SI4630DY-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 169,35 KB)
  
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SI4630DY-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6670pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1725pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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