Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI1967DH-T1-E3
PNEDA Part # SI1967DH-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1967DH-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1967DH-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1967DH-T1-E3, SI1967DH-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 109 KB)
PDFSI1967DH-T1-E3 Datasheet Copertura
SI1967DH-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI1967DH-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI1967DH-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI1967DH-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI1967DH-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI1967DH-T1-E3 Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • SI1967DH-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI1967DH-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1967DH-T1-E3
  • SI1967DH-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI1967DH-T1-E3 Stock

  • SI1967DH-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI1967DH-T1-E3
  • SI1967DH-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1967DH-T1-E3 Price
  • SI1967DH-T1-E3 Distributor

SI1967DH-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs490mOhm @ 910mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 10V
Potenza - Max1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

I prodotti a cui potresti essere interessato

BSL308PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-6

IRF7351PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.8mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

70V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

165A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

480nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-240AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-240AA

SSM6N43FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

NTL4502NT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1605pF @ 20V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-PowerQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PlnPAK

Venduto di recente

NTCS0603E3103FMT

NTCS0603E3103FMT

Vishay BC Components

THERMISTOR NTC 10KOHM 3610K 0603

BMI160

BMI160

Bosch Sensortec

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA

IRF7811A

IRF7811A

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC

LTC1326IS8-2.5#PBF

LTC1326IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PREC TRPL SUPPLY MONITR 8SOIC

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

NAND256W3A2BN6E

NAND256W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

IXGX120N60B

IXGX120N60B

IXYS

IGBT 600V 200A 660W TO247

YC324-JK-071KL

YC324-JK-071KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 2012

MAX16025TE+

MAX16025TE+

Maxim Integrated

IC SUPERVISORY CIRC DL 16TQFN

749020100A

749020100A

Wurth Electronics

WE-LAN 10/100/1000 BASE-T SMD

MA2SD2500L

MA2SD2500L

Panasonic Electronic Components

DIODE SCHOTTKY 15V 200MA SSMINI2