SI1050X-T1-E3
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Numero parte | SI1050X-T1-E3 |
PNEDA Part # | SI1050X-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.840 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1050X-T1-E3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI1050X-T1-E3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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SI1050X-T1-E3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.34A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 1.34A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 4V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
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