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SH8K32GZETB

SH8K32GZETB

Solo per riferimento

Numero parte SH8K32GZETB
PNEDA Part # SH8K32GZETB
Descrizione 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEX
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SH8K32GZETB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSH8K32GZETB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SH8K32GZETB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 10V
Potenza - Max1.4W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-6

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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