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SGW50N60HSFKSA1

SGW50N60HSFKSA1

Solo per riferimento

Numero parte SGW50N60HSFKSA1
PNEDA Part # SGW50N60HSFKSA1
Descrizione IGBT 600V 100A 416W TO247-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SGW50N60HSFKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSGW50N60HSFKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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SGW50N60HSFKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.15V @ 15V, 50A
Potenza - Max416W
Switching Energy1.96mJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge179nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C47ns/310ns
Condizione di test400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

64A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

525µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

145nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/225ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 [K]

IRG4IBC20WPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

34W

Switching Energy

60µJ (on), 80µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

26nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/110ns

Condizione di test

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

APT36GA60B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

307µJ (on), 254µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/122ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

IXGF25N300

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

27A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.5V @ 15V, 75A

Potenza - Max

114W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

75nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

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17A

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Gate Charge

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Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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