SGR2N60UFDTF
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| Numero parte | SGR2N60UFDTF |
| PNEDA Part # | SGR2N60UFDTF |
| Descrizione | IGBT 600V 2.4A 25W DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.262 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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SGR2N60UFDTF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SGR2N60UFDTF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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SGR2N60UFDTF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 2.4A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 10A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 1.2A |
| Potenza - Max | 25W |
| Switching Energy | 30µJ (on), 13µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 9nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/80ns |
| Condizione di test | 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Potenza - Max 625W Switching Energy 465µJ (on), 637µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 19ns/83ns Condizione di test 400V, 50A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 19A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 38A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A Potenza - Max 60W Switching Energy 320µJ (on), 2.58mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 62ns/690ns Condizione di test 480V, 10A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 37ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 74A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Potenza - Max 278W Switching Energy 1.1mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 92nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/116ns Condizione di test 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
