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SGL50N60RUFDTU

SGL50N60RUFDTU

Solo per riferimento

Numero parte SGL50N60RUFDTU
PNEDA Part # SGL50N60RUFDTU
Descrizione IGBT 600V 80A 250W TO264
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SGL50N60RUFDTU Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSGL50N60RUFDTU
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
SGL50N60RUFDTU, SGL50N60RUFDTU Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 463,26 KB)
PDFSGL50N60RUFDTU Datasheet Copertura
SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 2 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 3 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 4 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 5 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 6 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 7 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 8 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 9 SGL50N60RUFDTU Datasheet Pagina 10

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SGL50N60RUFDTU Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 50A
Potenza - Max250W
Switching Energy1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge145nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C26ns/66ns
Condizione di test300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264-3

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

273W

Switching Energy

410µJ (on), 190µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

109nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/250ns

Condizione di test

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4

STGP19NC60S

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Potenza - Max

130W

Switching Energy

135µJ (on), 815µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17.5ns/175ns

Condizione di test

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

IKW40N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

306W

Switching Energy

1.68mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

223nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/197ns

Condizione di test

400V, 40A, 7.9Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

124ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

IGP10N60TXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

Potenza - Max

110W

Switching Energy

430µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/215ns

Condizione di test

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

GT10G131(TE12L,Q)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

3.1µs/2µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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