SGB02N120ATMA1
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| Numero parte | SGB02N120ATMA1 |
| PNEDA Part # | SGB02N120ATMA1 |
| Descrizione | IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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SGB02N120ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SGB02N120ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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SGB02N120ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 6.2A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 9.6A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A |
| Potenza - Max | 62W |
| Switching Energy | 220µJ |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 11nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/260ns |
| Condizione di test | 800V, 2A, 91Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A Potenza - Max 100W Switching Energy 200µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/100ns Condizione di test 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 86ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
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