SG2013J-883B
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Numero parte | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
Descrizione | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 28.074 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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SG2013J-883B Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SG2013J-883B |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array |
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SG2013J-883B Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo di transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 600mA |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-CDIP |
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