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SFS1008G MNG

SFS1008G MNG

Solo per riferimento

Numero parte SFS1008G MNG
PNEDA Part # SFS1008G-MNG
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.732
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SFS1008G MNG Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSFS1008G MNG
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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SFS1008G MNG Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB (D²PAK)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UH1DHE3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

GP10-4002E-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

VS-72HFR80M

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 220A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB (DO-5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 180°C

UB8CT-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

20ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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