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SFF1001GAHC0G

SFF1001GAHC0G

Solo per riferimento

Numero parte SFF1001GAHC0G
PNEDA Part # SFF1001GAHC0G
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 10A ITO220AB
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.660
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SFF1001GAHC0G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSFF1001GAHC0G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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SFF1001GAHC0G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If975mV @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitoreITO-220AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

320A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 750A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15mA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

VS-8EWS08STR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

DL4936-13-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF

Pacchetto dispositivo fornitore

MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

ES1JLHRFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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