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SD1332-05H

SD1332-05H

Solo per riferimento

Numero parte SD1332-05H
PNEDA Part # SD1332-05H
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SD1332-05H Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSD1332-05H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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SD1332-05H Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2.5dB @ 1GHz
Guadagno17dB
Potenza - Max180W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 14mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Temperatura di esercizio200°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaM150
Pacchetto dispositivo fornitoreM150

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

0912-25

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 10dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CT

Pacchetto dispositivo fornitore

55CT

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

90mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

2SC5606-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

21GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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