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SBR2U10LP-7

SBR2U10LP-7

Solo per riferimento

Numero parte SBR2U10LP-7
PNEDA Part # SBR2U10LP-7
Descrizione DIODE SBR 10V 2A X1-DFN1411-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.894
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBR2U10LP-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBR2U10LP-7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SBR2U10LP-7, SBR2U10LP-7 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 217,69 KB)
PDFSBR2U10LP-7 Datasheet Copertura
SBR2U10LP-7 Datasheet Pagina 2 SBR2U10LP-7 Datasheet Pagina 3 SBR2U10LP-7 Datasheet Pagina 4

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SBR2U10LP-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieSBR®
Tipo di diodoSuper Barrier
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)10V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If460mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2mA @ 10V
Capacità @ Vr, F102pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-UDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreX1-DFN1411-3
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Produttore

Semtech Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

15000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

16.6V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 800mV

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

LSM120JE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

1T5G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MUR160 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

27pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BAS70E6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

70V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

100ps

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 50V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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