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SBR20E120CT

SBR20E120CT

Solo per riferimento

Numero parte SBR20E120CT
PNEDA Part # SBR20E120CT
Descrizione DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBR20E120CT Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBR20E120CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
SBR20E120CT, SBR20E120CT Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 486,12 KB)
PDFSBR20E120CT Datasheet Copertura
SBR20E120CT Datasheet Pagina 2 SBR20E120CT Datasheet Pagina 3 SBR20E120CT Datasheet Pagina 4 SBR20E120CT Datasheet Pagina 5

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SBR20E120CT Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieSBR®
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSuper Barrier
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)120V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If790mV @ 10A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr90µA @ 120V
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

VS-40L15CWPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

15V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

410mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 15V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

VS-6CWQ04FNHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

HN2D03F(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Configurazione diodi

3 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

SM6

MBRT200150R

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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