SBLB10L25HE3_A/P
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| Numero parte | SBLB10L25HE3_A/P |
| PNEDA Part # | SBLB10L25HE3_A-P |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.076 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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SBLB10L25HE3_A/P Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SBLB10L25HE3_A/P |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SBLB10L25HE3_A/P, SBLB10L25HE3_A/P Datasheet
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SBLB10L25HE3_A/P Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 25V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 25V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214BA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214BA (GF1) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 100V Capacità @ Vr, F 3.5pF @ 6V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore A-MELF Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
