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SBC856BDW1T1G

SBC856BDW1T1G

Solo per riferimento

Numero parte SBC856BDW1T1G
PNEDA Part # SBC856BDW1T1G
Descrizione TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 175.416
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SBC856BDW1T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSBC856BDW1T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
SBC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 154,19 KB)
PDFSBC856BDW1T3G Datasheet Copertura
SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 2 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 3 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 4 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 5 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 6 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 7 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 8 SBC856BDW1T3G Datasheet Pagina 9

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SBC856BDW1T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Potenza - Max380mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA / 600mV @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V / 120 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

150MHz, 130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini6-G4-B

2SA1618-Y(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

SMV

JANTX2N4854U

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Produttore

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/421

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

600mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SMD

SMA4036

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

4W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

15-SIP Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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