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SB2003M-TL-W

SB2003M-TL-W

Solo per riferimento

Numero parte SB2003M-TL-W
PNEDA Part # SB2003M-TL-W
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 2A 6MCPH
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.830
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SB2003M-TL-W Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSB2003M-TL-W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SB2003M-TL-W, SB2003M-TL-W Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 1.035,17 KB)
PDFSB2003M-TL-W Datasheet Copertura
SB2003M-TL-W Datasheet Pagina 2 SB2003M-TL-W Datasheet Pagina 3 SB2003M-TL-W Datasheet Pagina 4

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SB2003M-TL-W Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If500mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr30µA @ 15V
Capacità @ Vr, F75pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore6-MCPH
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 125°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-10ETF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

RSFDLHRHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SJPX-H3VL

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, J-Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

SJP

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

85pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

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175°C (Max)

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