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S8JC V6G

S8JC V6G

Solo per riferimento

Numero parte S8JC V6G
PNEDA Part # S8JC-V6G
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S8JC V6G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS8JC V6G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S8JC V6G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F48pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

780mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JAN1N1204A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/260

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 38A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA (DO-4)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

ES2A-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

JAN1N5614US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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