S8-4150/TR7
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| Numero parte | S8-4150/TR7 |
| PNEDA Part # | S8-4150-TR7 |
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 8SOIC |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.526 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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S8-4150/TR7 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S8-4150/TR7 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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S8-4150/TR7 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 4 Independent |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 400mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 570mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244AB |
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