S70GL02GS12FHBV23
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| Numero parte | S70GL02GS12FHBV23 |
| PNEDA Part # | S70GL02GS12FHBV23 |
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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S70GL02GS12FHBV23 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S70GL02GS12FHBV23 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S70GL02GS12FHBV23 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, GL-S |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.65V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (13x11) |
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Produttore SkyHigh Memory Limited Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 64-TQFP (10x10) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-CABGA (9x9) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-P Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5µs, 3ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
