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S3JBHR5G

S3JBHR5G

Solo per riferimento

Numero parte S3JBHR5G
PNEDA Part # S3JBHR5G
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 37.260
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S3JBHR5G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS3JBHR5G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S3JBHR5G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.15V @ 3A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F40pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

6500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

5.6V @ 2500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150mA @ 6500V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AE

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

0°C ~ 140°C

GIB1402HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5401TA

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

BYV28-600-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

210ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SOD-64, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-64

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N3766

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 35A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 190°C

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