S3GHE3/57T
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| Numero parte | S3GHE3/57T |
| PNEDA Part # | S3GHE3-57T |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.798 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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S3GHE3/57T Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S3GHE3/57T |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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S3GHE3/57T Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/162 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 800V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AA (DO-4) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 620mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F 72pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123F Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 33µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 301pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
