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S2KW4C-1P

S2KW4C-1P

Solo per riferimento

Numero parte S2KW4C-1P
PNEDA Part # S2KW4C-1P
Descrizione DIODE GEN PURP 4KV 8A MODULE
Produttore Semtech
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S2KW4C-1P Risorse

Brand Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS2KW4C-1P
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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S2KW4C-1P Specifiche

ProduttoreSemtech Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)4000V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If4V @ 6A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 4000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MBRH12060R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

HER102G R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAS16TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N5616

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

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