S2A M4G
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Numero parte | S2A M4G |
PNEDA Part # | S2A-M4G |
Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA |
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.250 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 20 - nov 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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S2A M4G Risorse
Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | S2A M4G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S2A M4G Specifiche
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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