S29GL01GS11DHV023
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| Numero parte | S29GL01GS11DHV023 |
| PNEDA Part # | S29GL01GS11DHV023 |
| Descrizione | IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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S29GL01GS11DHV023 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S29GL01GS11DHV023 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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S29GL01GS11DHV023 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-S |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 60ns |
| Tempo di accesso | 110ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH, RAM Tecnologia FLASH, DRAM Dimensione della memoria 256Mbit Flash, 64Mbit RAM Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 24-VBGA Pacchetto dispositivo fornitore 24-FBGA (6x8) |
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