S1DBHR5G
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| Numero parte | S1DBHR5G |
| PNEDA Part # | S1DBHR5G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.154 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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S1DBHR5G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S1DBHR5G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S1DBHR5G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 160µA @ 600V Capacità @ Vr, F 291pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
