S12JCHM6G
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Numero parte | S12JCHM6G |
PNEDA Part # | S12JCHM6G |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB |
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.402 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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S12JCHM6G Risorse
Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | S12JCHM6G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S12JCHM6G Specifiche
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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