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S-34TS04A0B-A8T3U5

S-34TS04A0B-A8T3U5

Solo per riferimento

Numero parte S-34TS04A0B-A8T3U5
PNEDA Part # S-34TS04A0B-A8T3U5
Descrizione IC EEPROM
Produttore ABLIC
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Disponibile 3.780
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Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S-34TS04A0B-A8T3U5 Risorse

Brand ABLIC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS-34TS04A0B-A8T3U5
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S-34TS04A0B-A8T3U5, S-34TS04A0B-A8T3U5 Datasheet (Totale pagine: 38, Dimensioni: 468,51 KB)
PDFS-34TS04A0B-A8T3U5 Datasheet Copertura
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S-34TS04A0B-A8T3U5 Specifiche

ProduttoreABLIC U.S.A. Inc.
Serie*
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (2x3)

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TFBGA (7x9)

CY7C1325G-133BGC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

F800BJHEPTTL90

Sharp Microelectronics

Produttore

Sharp Microelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - Boot Block

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

AS4C64M16D3B-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (9x13)

CY7C1520KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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