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RU 1CV1

RU 1CV1

Solo per riferimento

Numero parte RU 1CV1
PNEDA Part # RU-1CV1
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RU 1CV1 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRU 1CV1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RU 1CV1, RU 1CV1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 279,86 KB)
PDFRU 1C Datasheet Copertura
RU 1C Datasheet Pagina 2 RU 1C Datasheet Pagina 3 RU 1C Datasheet Pagina 4 RU 1C Datasheet Pagina 5

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RU 1CV1 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If3V @ 250mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)400ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaAxial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-15

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

GB25MPS17-247

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1700V

Corrente - Media Rettificata (Io)

110A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 25A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 1700V

Capacità @ Vr, F

1596pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

EGP10DHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

22pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SFF501G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

980mV @ 2.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBRD360TR

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 60V

Capacità @ Vr, F

250pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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