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RT1210WRD071K82L

RT1210WRD071K82L

Solo per riferimento

Numero parte RT1210WRD071K82L
PNEDA Part # RT1210WRD071K82L
Descrizione RES SMD 1.82KOHM 0.05% 1/4W 1210
Produttore Yageo
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 8 - lug 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RT1210WRD071K82L Risorse

Brand Yageo
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRT1210WRD071K82L
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale

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RT1210WRD071K82L Specifiche

ProduttoreYageo
SerieRT
Resistenza1.82 kOhms
Tolleranza±0.05%
Potenza (Watt)0.25W, 1/4W
ComposizioneThin Film
Caratteristiche-
Coefficiente di temperatura±25ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C
Pacchetto / Custodia1210 (3225 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore1210
Taglia / Dimensione0.122" L x 0.102" W (3.10mm x 2.60mm)
Altezza - Seduto (Max)0.026" (0.65mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

37.4 kOhms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RCS1608F4754CS

Samsung Electro-Mechanics

Produttore

Samsung Electro-Mechanics

Serie

RCS

Resistenza

4.75 MOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Susumu

Serie

RG

Resistenza

15.8 kOhms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.020" (0.50mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RE

Resistenza

430 Ohms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.125W, 1/8W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0805 (2012 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.024" (0.60mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Ohmite

Serie

FCSL

Resistenza

25 mOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

5W

Composizione

Metal Foil

Caratteristiche

Current Sense, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±50ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

Wide 4320 (11050 Metric), 2043

Pacchetto dispositivo fornitore

11050

Taglia / Dimensione

0.197" L x 0.433" W (5.00mm x 11.00mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.028" (0.70mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

1SS133T-72

1SS133T-72

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

FW2500025Z

FW2500025Z

Diodes Incorporated

CRYSTAL 25MHZ 20PF SMD

BK2125HS750-T

BK2125HS750-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 75 OHM 0805 1LN

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC

AD829JRZ

AD829JRZ

Analog Devices

IC VIDEO OPAMP LN HS 8-SOIC

AP2202K-3.3TRG1

AP2202K-3.3TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

MMBT2222

MMBT2222

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

4608X-102-682LF

4608X-102-682LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8SIP

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL

74HC164D

74HC164D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

BZX84C3V3

BZX84C3V3

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3

JAN1N4148-1

JAN1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35