RSH065N06GZETB
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| Numero parte | RSH065N06GZETB |
| PNEDA Part # | RSH065N06GZETB |
| Descrizione | 4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 21.414 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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RSH065N06GZETB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RSH065N06GZETB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RSH065N06GZETB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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