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RS1AHE3_A/I

RS1AHE3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte RS1AHE3_A/I
PNEDA Part # RS1AHE3_A-I
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.326
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RS1AHE3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRS1AHE3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RS1AHE3_A/I, RS1AHE3_A/I Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 84,23 KB)
PDFRS1KHE3/61T Datasheet Copertura
RS1KHE3/61T Datasheet Pagina 2 RS1KHE3/61T Datasheet Pagina 3 RS1KHE3/61T Datasheet Pagina 4

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RS1AHE3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

660mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

350µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

580pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221AC (SlimSMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

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Produttore

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Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

120A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

5200pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

PRM1-1 (Half Pak Module)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N6537

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Produttore

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Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

IRKE166/08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

165A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

60µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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